Nghiên cứu và chế tạo pin năng lượng mặt trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 và Cu(In,Ga)(S,Se)2 bằng phương pháp in
1. Tên đề tài: Nghiên cứu và chế tạo pin năng lượng mặt trời Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 và Cu(In,Ga)(S,Se)2 bằng phương pháp in
2. Thuộc lĩnh vực KH&CN: Khoa học tự nhiên - Vật lý
3. Năm bắt đầu tài trợ: 2014
4. Năm kết thúc: 2017
5. Cơ quan chủ trì: Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ
6. Chủ nhiệm đề tài
7. Mô tả chung về đề tài dự án KH&CN
Hiện nay nguồn năng lượng hóa thạch như than đá, dầu mỏ, khí đốt đang ngày càng cạn kiệt, hơn nữa khí thải do các nguồn năng lượng này cũng đã tác động xấu đến môi trường như hiệu ứng nhà kính. Nguồn năng lượng hạt nhân tuy khá ổn định song tiềm ẩn nhiều rủi ro trong quá trình sử dụng, như sự cố rò rỉ phóng xạ của nhà máy điện hạt nhân tại Fukushima, Nhật Bản cho đến nay vẫn chưa khống chế thành công. Xuất phát từ những yêu cầu thực tiễn như trên, việc tìm ra các nguồn năng lượng mới thân thiện với môi trường và có khả năng tái tạo nhanh đang trở thành vấn đề cấp thiết đối với tất cả các nước trên thế giới. Trong số các nguồn năng lượng sạch như năng lượng gió, địa nhiệt và năng lượng mặt trời thì nguồn năng lượng mặt trời được xem như là vô tận và khả năng ứng dụng khá cao. Hiện nay để sử dụng nguồn năng lượng mặt trời người ta có thể chuyển đổi trực tiếp (thu nhiệt từ ánh sáng mặt trời để đun nóng) hoặc chuyển đổi gián tiếp (chuyển từ ánh sáng mặt trời qua điện bằng các tấm pin năng lượng mặt trời). Vấn đề giá thành sản phẩm đang là trở ngại lớn nhất hiện nay để phát triển thị trường pin năng lượng mặt trời. Các sản phẩm thương mại của pin năng lượng mặt trời hiện nay phần lớn vẫn là pin sử dụng vật liệu silicon với giá thành khá cao. Trong khuôn khổ đề tài này, chúng tôi quan tâm đến các loại pin năng lượng mặt trời như Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGSSe) và Cu(Zn,Sn)(S,Se)2 (CZTSSe). Ưu điểm của loại pin này là chúng có thể chế tạo được bằng các phương pháp ở áp suất thấp cũng như